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    科研成果
    新型二维纳米材料的功函数调控及异质结器件研究
    2019-06-04
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    成果负责人:赵维巍



    亮点:


        第一,首次利用开尔文探针显微镜给出了MoS2纳米片功函数随层数的变化规律,发现了其具有较弱的层间屏蔽效应,并成功地通过电荷转移模型进行了解释;


        第二,利用自组装单分子层对MoS2纳米片的功函数进行调控,调控范围高达0.45–0.47eV,并证实了单分子层与MoS2界面处显著的电荷转移机制;


        第三,证实了单层MoS2/Si垂直异质结构具有良好的光二极管性能,其在紫外及近红外波段具有较高的光响应值(最高达7.2A/W)。


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             结合KFM测量MoS2器件电学性质                                       利用自组装单分子层调控MoS2功函数