成果负责人：赵维巍
亮点：
第一，首次利用开尔文探针显微镜给出了MoS2纳米片功函数随层数的变化规律，发现了其具有较弱的层间屏蔽效应，并成功地通过电荷转移模型进行了解释；
第二，利用自组装单分子层对MoS2纳米片的功函数进行调控，调控范围高达0.45–0.47eV，并证实了单分子层与MoS2界面处显著的电荷转移机制;
第三，证实了单层MoS2/Si垂直异质结构具有良好的光二极管性能，其在紫外及近红外波段具有较高的光响应值(最高达7.2A/W)。
结合KFM测量MoS2器件电学性质 利用自组装单分子层调控MoS2功函数
